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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应幸运三分快三管)组成的复合全控彩宝贝双色球型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高北京pk赛车输入阻抗和GTR的低导通压降两方面大发快三安装的优点。GTR饱江苏快三计划和压降低,载流密度大,但驱动电苹果手机玩不了大发快三流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速↑度快,但导甘肃11选5通压降大,载流密度无需申请即送68元彩金小。IGBT综合了以☉上两种器件的优点,驱安徽快3动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电3d基本走势图带连线图压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明北京快三、牵引传动等领域。

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱北京快三开奖结果动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导能提现的棋牌游戏通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开江苏11选五开奖结果图关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种大发快三全天网页版计划器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于时时彩平台直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明北京快三、牵引传动等领域。
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igbt特性

静态特性
三菱制头条彩票大功率IGBT模块
IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性。
IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它与GTR的输出特性相似.也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下〗的IGBT,正向电压由J2结承担,反三分快三官网向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此大发快三是国家的彩票吗限制了IGBT的某些应用宝马棋牌下载范围。
IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性快三走势图app相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内,Id与Ugs呈线性关大乐透预测推荐系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。
动态特性
动态特性大发快三计划软件免费又称开关特性,IGBT的大发快三大小推算软件开关特性分为两大部分:一是开关速广西快三官网度,主要指标是开关过程中各大发快三稳赚投注技巧部分时间;另一个是开腾讯快三关过程中的损耗。
IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通∩态时,由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。尽管等效北京快三为达林顿结构,但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on)可用下式至尊彩大发快三网址表示⌒ ::
Uds(on)=Uj1+Udr+IdRoh
式中Uj1——JI结的正向电压,其值为0.7~1V;Udr——扩展电阻Rdr上的压降;Roh——沟道电阻。
通态电流Ids可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos——流过MOSFET的电流。
由于N+区存在电导调制效应大发快三计划,所以IGBT的通态压降小,耐压1000V的IGBT通态压降为2~3V。IGBT处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。
IGBT在开通过程中,大部分时间是作为MOSFET来运行的,只是在漏源电压Uds下降过程后期,PNP晶体管送彩金游戏由放大区至饱和,又增加江苏快三官网下载了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间,tri为电流上升快三app时间。实际应用中常给出的漏贵州快3走势图极电流开通时间ton即为td(on)tri之和,漏源电压手机购彩平台手机app的下降时间由tfe1和tfe2组成。
IGBT的触发和关断大发快三官网登录要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同的驱动北京快三产生。当选择这些驱动北京快三时,必须基①于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情□ 况。因为IGBT栅极-发射极阻江苏体彩网抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大,故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动北京快三提供的偏压更高。
IGBT在关断过大发快三怎么中奖程中,漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏极电流较长的尾部时间,td(off)为关断延迟吉林11选5时间,trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而漏极电流的关断时间
t(off)=td(off)+trv十t(f)
式中:td(off)与trv之和又称为存储时间。
IGBT的开关速度低大发快三国际官网于MOSFET,但明显高▂于GTR。IGBT在关断时不需要负栅幸运赛车压来减少关断时间,但关断时山东快三间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加福彩大发快三技巧。IGBT的开启电压约江苏11选五开奖结果图3~4V,和MOSFET相当。IGBT导通时的饱大发快三破解方法和压降比MOSFET低而和GTR接近,饱和压降随栅极电压的增加而降低。
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igbt应用

作为电力电子重要大功率主流器件之一,IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面,如交彩神官方网站登录通控制、功率变换、工业电机、不间断电源采购大发快三下载安装、风电与太阳能设吉祥彩票备,以及用于自动控新未来彩票制的变频器。在消大发快三全天计划费电子方面,IGBT用于家用电器、相机彩神争霸8大发快三下载和手机。
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